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MDD SA18A

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MDD 品牌 SOD123FL/SMA/SMB/SMC 品质提升的通告（Declaration For MDD Brand SOD123FL/SMA/SMB/SMC Package Quality Improvement）

**MDD品牌SOD123FL/SMA/SMB/SMC封装产品品质提升通告** MDD品牌宣布对其SOD123FL/SMA/SMB/SMC封装产品进行品质提升，由原来的两片夹焊工艺改为三片式焊接工艺，以提高产品可靠性。产品电性性能保持不变，同时增强抗温度湿度变化后的应力能力。若客户需PCN申请，请及时联系销售人员。若2024年11月15日前无需求，将切换至更可靠的CLIP工艺产品。

MDD - PCN/EOL - 2024-10-18

SA18A REACH（SVHC）声明

本文件为Littelfuse公司关于REACH法规（EC）No 1907/2006的SVHC（高度关注物质）声明。声明中提到，产品系列/零件编号SA18A含有在REACH法规附件1b中列出的物质，其浓度超过0.1%重量比，符合第57条标准，并根据第59(1)条标准进行识别。截至2019年7月16日，SVHC候选清单中有201项物质。声明不修改或改变Littelfuse公司与购买者之间存在的任何合同或购买协议条款。声明由Jennilyn Dinglasan-Santos签署，日期为2019年11月18日。

LITTELFUSE - Test Report - November 18, 2019 Part# :SA18A

SA18A RoHS合规证书

本文件为Littelfuse公司关于产品系列/零件号SA18A的RoHS合规性证书。证书声明该产品不含铅、汞、镉、六价铬、多溴联苯（PBB）或多溴联苯醚（PBDE）等有害物质，且不含有邻苯二甲酸二（2-乙基己基）酯（DEHP）、丁基苯基邻苯二甲酸酯（BBP）、二丁基邻苯二甲酸酯（DBP）和二异丁基邻苯二甲酸酯（DIBP）等有害物质，符合欧盟RoHS 2指令2011/65/EU和指令（EU）2015/863的规定。证书由Littelfuse全球EH&S总监Jennilyn Dinglasan-Santos签发，有效期为2019年11月18日。

LITTELFUSE - Test Report - November 18, 2019 Part# :SA18A

QSA18A Rotary Stepped Attenuators

扩维 - Datasheet - Rev1.3 Part# :QSA18A,QSA18A SERIES,QSA18A-W-X-Y-Z

MDD 品牌桥堆产品丝印调整的通告（Declaration on Marking Content Adjustment of MDD Bridge Rectifier Products）

MDD品牌宣布对桥堆产品丝印内容进行调整，以提升产品质量控制和产品追溯性。新标准将于2025年1月1日起实施，新丝印将包含更详细的生产批次信息。同时，MDD提醒合作伙伴注意新旧丝印产品的交替交货过渡，并提醒有PCN申请需求的客户及时联系销售人员。

MDD - PCN/EOL - 2024年12月12日

MDD/TSCTVS对照表

本资料为MDD/TSC TVS（瞬态电压抑制器）跨参考列表，详细列出了多种型号的TVS器件的参数，包括峰值功率耗散、击穿电压、最大反向漏电流、反向 standoff 电压、峰值脉冲电流、最大钳位电压、工作温度范围、正向浪涌电流、封装类型等。资料旨在为工程师提供TVS器件的选型和比较依据。

MDD - Cross References Part# :SMCJ36CA,SA13CA,P4SMA16A,P6KE47A,SMAJ6.0CA,SMAJ40CA,SMDJ12A,SMDJ43CA,SMBJ8.5CA,SMBJ51A,SMBJ75A,P6SMB56A,SMDJ13A,P6KE22A,SA20A,P6KE300A,SA24CA,1.5KE440

SiSA18ADN N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

VISHAY - Datasheet - Rev. A - 21-Jan-13 Part# :SISA18ADN-T1-GE3,SISA18ADN

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QSA18A DC~18GHz, 0~90dB, 25W Rotary Stepped Attenuators

扩维 - Datasheet - Rev 1.3 - 2023/12/18 Part# :QSA18A,QSA18A-8-9-2-S,QSA18A SERIES,QSA18A-W-X-Y-Z

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET SiSA18ADN

VISHAY - Datasheet - Rev. A - 21-Jan-13 Part# :SISA18ADN-T1-GE3,SISA18ADN

SiSA18ADN N-Channel 30 V (D-S) MOSFET DATA SHEET

VISHAY - Datasheet - Rev. A - 21-Jan-13 Part# :SISA18ADN-T1-GE3,SISA18ADN

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET SiSA18ADN Vishay Siliconix

VISHAY - Datasheet - Rev A - 03-Mar-06 Part# :SISA18ADN

BAV19WS/BAV20WS/BAV21WS Silicon Epitaxial Planar Diode

该资料介绍了三种型号的硅外延平面二极管（BAV19WS、BAV20WS、BAV21WS），这些二极管的特性包括快速开关速度、适用于表面贴装技术，并适合通用切换应用。资料提供了最大额定值、电气特性、典型特性和封装信息。

MDD - Datasheet - 2019/03/28 Part# :BAV19WS,BAV20WS,BAV21WS

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SDxx系列SOD-323塑料封装ESD保护二极管

该资料介绍了SDxx系列单向TVS二极管（瞬态过压保护器件），适用于需要瞬态过压保护的电子设备。这些二极管旨在用于电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商务机器、通信系统、医疗设备和其它应用。它们特别设计用来保护连接到电源、数据和传输线的敏感组件免受静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）和电快速瞬变（EFT）引起的过压损害。

MDD - Datasheet - Rev:2020A0 Part# :SD05,SD03,SD36,SD15,SD12,SD24,SDXX,SD20,SD18,SD08

mDD Ex LED信号

本资料介绍了一种适用于爆炸危险区域的LED信号灯，型号为mDD1/mDD2。该灯具采用LED技术，具有防爆功能，适用于Zone 1和2或Zone 21和22。灯具可提供持续光、闪烁光、旋转光和全周光等模式，通过调节开关来选择不同的工作模式。灯具外壳采用IP66防护等级，适用于室内外安装。灯具无需维护，符合多项安全标准。

AUER SIGNAL - Technical Documentation - 15.05.2018 Part# :MDD,MDD1,MDD2

i - 45.7 Cavity type MDD Scale 1:1

BUCHER - Technical Documentation - 09.2015 Part# :MDD,MVR - 3D - 10

[选型]辰达行（Microdiode）MOSFET场效应管选型表

Microdiode Electronics (Shenzhen) Co., Ltd is a professional semiconductor enterprise which specializes in R & D, production of diodes and bridge rectifiers.~~~~~~微二极管电子（深圳）有限公司是一家专业研发、生产二极管、整流桥的半导体企业。

MOSFET

MDD - Selection guide Part# :2N7002,SI2305,BSS138,SI2306,SI2301,BSS123,SI2302,SI2310,SI2300,AO3407,4N65F,AO3401,AO3402,AO3415,AO3442,AO3400,SI2301S,SI2302S,BSS84,2N7002K